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随着东芝/晟碟(Toshiba/SanDisk)的四日市(Yokkaichi)合资厂受地震影响，3月份主流的MLC NAND Flash合约均价上涨约达5-15%，但3月下旬的部份TLC合约均价则出现约10%的跌幅，主要是因有些供货商其2xnm TLC新产品采取了较优惠的定价策略，以吸引记忆卡及UFD客户于1Q季底前增加其采购量。但2Q NAND Flash市场的供需状况仍将会受到一些供需不确定因素的影响　　就需求面而言：1.) 2Q的记忆卡及UFD通路市场仍将受传统淡季效应的影响。2.) 考虑灾后日本市场对NAND Flash终端产品的需求短期内将可能会下降，以及部份NAND Flash终端产品的出货量将受限于零件短缺或业者递延部份新产品的铺货时程等因素而减少，故也将可能会影响到2Q或3Q NAND Flash终端产品的销售量。

4月份NAND Flash市场在上述这些供给及需求面的多空因素相互影响下，预期NAND Flash合约价格可望维持大致稳定，但随着日本东北及关东(Kanto)地区的限电因素在2Q中逐渐获得改善后，预期NAND Flash合约价格将可能会转为反应2Q中的淡季效应而走软。

三星电子抢先行动整整三个月之后，另一家半导体大厂海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4内存颗粒、内存条开发完毕。

       海力士已经开发出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM内存颗粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM内存条，支持错误校验功能，均采用先进的30nm级别工艺制造，完全符合JEDEC组织制定的相关标准规范。

        海力士DDR4 DRAM内存颗粒的运行速度高达2400MHz，比目前主流的DDR3-1333快了整整80％，也比三星DDR4快了266MHz，同时运行电压仅有1.2V，64-bit I/O接口下数据传输带宽高达19.2GB/s。

        海力士计划2012年下半年开始批量生产这种高性能DDR4内存，主要提供给微型服务器(micro server)市场，暂无消费级产品规划。

        市调机构iSuppli认为，DDR4 DRAM在整个内存市场上的份额2013年约为5％，2015年即可超过50％成为主流，同时DDR3 DRAM内存在2012年达到71％的份额高峰，2014年就会迅速滑落到49％。